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GB/T 14144-2009硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

pk10开奖结果GB/T 14144-2009硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

GB/T 14144-2009硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法,本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。...

查看详情 发布时间:2019-11-14 13:24:18 - 点击数:74
GB/T 1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T 1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T 1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法,本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0cm-2~105cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。...

查看详情 发布时间:2019-11-12 10:32:08 - 点击数:75
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